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#153 #163 Ampère's Circuital Law
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@@ -681,7 +681,7 @@ \subsubsection*{高斯定律}
681681
引发了$\epsilon$的取值问题。为了避免这些麻烦,
682682
我们定义一个与单位制无关的新物理量,即\keyindex{相对电容率}{relative permittivity}{permittivity\ 电容率}
683683
$K_E$,旧称\keyindex{相对介电常数}{relative dielectric constant}{}:
684-
\begin{align}
684+
\begin{align}\label{eq:08ex02-relativepermittivity}
685685
K_E=\frac{\epsilon}{\epsilon_0}\, ,
686686
\end{align}
687687
显然真空的$K_E$为1,它是无量纲的。
@@ -704,3 +704,121 @@ \subsubsection*{高斯定律}
704704
\end{figure}
705705

706706
\subsubsection*{安培环路定律}
707+
\reffig{08ex02.0309}所示,一根电流为$i$的载流直导线形成了环绕它的磁场$\vec{\mathbf{B}}$
708+
实验表明磁场大小为
709+
\begin{align}\label{eq:08ex02-BfieldCurrentWire}
710+
B=\frac{\mu_0i}{2\pi r}\, ,
711+
\end{align}
712+
其中常数$\mu_0$的含义稍后介绍,$r$为半径大小。
713+
714+
在19世纪时,物理学界认为磁荷是存在的,于是我们定义单级磁荷$q_m$
715+
它在磁场$\vec{\mathbf{B}}$中受到的力等于$q_m\vec{\mathbf{B}}$
716+
方向在$\vec{\mathbf{B}}$的方向上,就像电场$\vec{\mathbf{E}}$中的
717+
电荷$q_e$所受的力$q_e\vec{\mathbf{E}}$那样。
718+
假设该磁荷指北,并被放到一条以载流直导线为圆心且垂直于导线的闭合圆形轨道上,
719+
围绕着导线运动,我们考察该过程磁场所做的功。
720+
注意到\refeq{08ex02-BfieldCurrentWire},
721+
因为轨道上任意一点到圆心的距离恒定,所以磁场大小相等,
722+
且方向处处与轨道相切,即$B_{\parallel}=B$
723+
任取一小段轨道$\Delta\ell$,则该段内磁场做功为$\Delta W=q_mB_{\parallel}\Delta\ell$,将每一小段求和得
724+
\begin{align}
725+
q_m\sum B_{\parallel}\Delta\ell=q_mB\sum\Delta\ell=q_m\frac{\mu_0i}{2\pi r}\cdot2\pi r=q_m\mu_0i\, .
726+
\end{align}
727+
注意到上式中半径$r$被抵消了,即做的功和具体在哪条圆形轨道上无关;
728+
若磁荷沿着半径方向运动,则因垂直于$\vec{\mathbf{B}}$而不做功。
729+
于是我们在磁荷绕圈时将它从一个圆周上搬运到另一个圆周上,做的功必定相同。
730+
也就是说,功与路径完全无关,在围绕电流的任何闭合路径上做的功都相同。
731+
\begin{figure}[htbp]
732+
\centering
733+
\includegraphics[width=0.3\linewidth]{Pictures/chap08/BfieldCurrent-carryingWire.eps}
734+
\caption{磁场$\vec{\mathbf{B}}$环绕着载流直导线。}
735+
\label{fig:08ex02.0309}
736+
\end{figure}
737+
738+
约去磁荷$q_m$,我们得到求和式:
739+
\begin{align}
740+
\sum B_{\parallel}\Delta\ell=\mu_0i\, .
741+
\end{align}
742+
它对围绕电流的任意闭合路径都成立。
743+
注意这个式子的成立不依赖于假设的单极磁荷,
744+
我们不需要借助磁荷这个假想概念了。
745+
它还可以推广到闭合路径包围的载流导线不止一根的情形——
746+
各个电流的磁场会叠加起来形成总磁场,而上式对总磁场也成立,即
747+
\begin{align}
748+
\sum B_{\parallel}\Delta\ell=\mu_0\sum i\, ,
749+
\end{align}
750+
$\Delta\ell\rightarrow0$,则上式化为积分
751+
\begin{align}
752+
\oint\limits_C\vec{\mathbf{B}}\cdot\mathrm{d}\vec{\mathbf{\ell}}=\mu_0\sum i\, ,
753+
\end{align}
754+
这就是安培定律。它将$\vec{\mathbf{B}}$沿着闭合曲线$C$切向的线积分
755+
$C$包围区域内的电流联系起来。当电流不均匀地流过截面时,
756+
安培定律右边可以改写成\keyindex{电流密度}{current density}{}
757+
$\vec{\mathbf{J}}$在截面面积上的积分
758+
\begin{align}
759+
\oint\limits_C\vec{\mathbf{B}}\cdot\mathrm{d}\vec{\mathbf{\ell}}
760+
=\mu_0\iint\limits_A\vec{\mathbf{J}}\cdot\mathrm{d}\vec{\mathbf{S}}\, ,
761+
\end{align}
762+
其中非封闭区域$A$$C$为边界(如\reffig{08ex02.0310}),
763+
常数$\mu_0$称作\keyindex{自由空间的磁导率}{permeability of free space}{permeability\ 磁导率},
764+
它的定义值为$4\pi\times10^{-7}\text{N}\cdot\text{s}^2/\text{C}^2$
765+
若在实物介质中,则换成对应介质的\keyindex{磁导率}{permeability}{} $\mu$.
766+
类似于\refeq{08ex02-relativepermittivity},我们定义无量纲的
767+
\keyindex{相对磁导率}{relative permeability}{permeability\ 磁导率}
768+
769+
\begin{align}
770+
K_M=\frac{\mu}{\mu_0}\, .
771+
\end{align}
772+
\begin{figure}[htbp]
773+
\centering
774+
\includegraphics[width=0.4\linewidth]{Pictures/chap08/CurrentDensityThroughArea.eps}
775+
\caption{通过非封闭区域$A$的电流密度。}
776+
\label{fig:08ex02.0310}
777+
\end{figure}
778+
779+
安培定律并没有具体规定区域$A$,而只需要它以$C$为边界即可。
780+
在电容器充电的例子中,这会产生新的问题。如\reffig{08ex02.0311}(a),
781+
若选择面$A_1$,则有净电流$i$穿过它,因而存在沿着曲线$C$的磁场;
782+
若选择面$A_2$,则没有净电流流过,磁场必须为零;显然这里出现了矛盾。
783+
\begin{figure}[htbp]
784+
\centering
785+
\includegraphics[width=0.8\linewidth]{Pictures/chap08/AmperesLawCapacitor.eps}
786+
\caption{(a)安培定律不在乎以$C$为边界的区域是$A_1$还是$A_2$
787+
但电流只穿过$A_1$没穿过$A_2$,引发了矛盾;
788+
(b)在电容器极板之间,$\vec{\mathbf{B}}$场伴随着时变的$\vec{\mathbf{E}}$场出现。}
789+
\label{fig:08ex02.0311}
790+
\end{figure}
791+
792+
并不是只有运动电荷才能产生磁场。如\reffig{08ex02.0311}(b),
793+
当给电容器充电或放电时,虽然没有实际电流流过电容器,
794+
但其极板间也可以测量到磁场,且和引线周围的磁场无法区分。
795+
设每块极板的面积为$A$,电荷量为$Q$,则电场强度为
796+
\begin{align}
797+
E=\frac{Q}{\varepsilon A}\, .
798+
\end{align}
799+
当电荷量变化时,电场也随之变化,上式两边对时间$t$求导并整理后得
800+
\begin{align}
801+
\varepsilon\frac{\partial E}{\partial t}=\frac{i}{A}\, ,
802+
\end{align}
803+
这说明$\displaystyle\varepsilon\frac{\partial E}{\partial t}$等效于电流密度。
804+
麦克斯韦\sidenote{詹姆斯·克拉克·麦克斯韦(James Clerk Maxwell),
805+
19世纪英国物理学家。}假设存在这样的机制,
806+
并称作\keyindex{位移电流密度}{displacement current density}{current density\ 电流密度},
807+
定义为
808+
\begin{align}
809+
\vec{\mathbf{J}}_D=\varepsilon\frac{\partial\vec{\mathbf{E}}}{\partial t}\, .
810+
\end{align}
811+
于是我们将以上结论重新表述为
812+
\begin{theorem}[\keyindex{Ampère's Circuital Law}{安培环路定律}{}]
813+
对于以闭合路径$C$为边界的任意非封闭曲面$A$,有
814+
\begin{align}
815+
\oint\limits_C\vec{\mathbf{B}}\cdot\mathrm{d}\vec{\mathbf{\ell}}
816+
=\mu\iint\limits_A\left(\vec{\mathbf{J}}
817+
+\varepsilon\frac{\partial\vec{\mathbf{E}}}{\partial t}\right)
818+
\cdot\mathrm{d}\vec{\mathbf{S}}\, ,
819+
\end{align}
820+
\end{theorem}
821+
这是麦克斯韦最伟大的贡献之一,表明了即使$\vec{\mathbf{J}}$为零,
822+
一个时变的电场$\vec{\mathbf{E}}$也会伴随一个磁场$\vec{\mathbf{B}}$.
823+
824+
\subsubsection*{麦克斯韦方程组}

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